与上一代产品相比，英飞凌的OptiMOS 6 200 V mosfet在室温下可降低42%的R(on)，在+175°C下可降低53%，从而满足了对高功率密度、高效率和可靠性的需求。降低的Q(rr)和改善的电容线性使开关性能得到改善。实际上，传导和开关损耗可以在不影响电磁干扰的情况下降低。该技术具有改进的安全工作区域(SOA)，以增加MOSFET在保护开关应用中的电流处理。同时，设计优化和生产精度使可靠、高性能的技术成为并联的理想选择。多种封装选项可供选择，包括PQFN 3.3 x 3.3, SuperSO8, D(2)PAK 3引脚，D(2)PAK 7引脚，to -无引线和TO-220。与之前的技术相比，OptiMOS 6具有显著的性能优势，例如低导通和开关损耗、改善的EMI、更少的并行化要求以及并行时更好的电流共享。

采用D(2)PAK封装的OptiMOS 6功率MOSFET 200 V的KIT_LGPWR_BOM015电源板模块代表了低压驱动(LVD)可扩展电源演示板平台的电源构建模块。它作为一个单一的半桥与电源和栅极驱动互连，使易于建立任何半桥为基础的电源拓扑。

在D(2)PAK、D(2)PAK-7和无to引脚封装中采用英飞凌功率MOSFET系列OptiMOS的功率板的变化，在并行化和热行为方面展示了功率MOSFET的性能。