摘要: 意法半导体的STGSH80HB65DAG器件将两个igbt和二极管结合在半桥拓扑结构中,安装在非常紧凑和坚固的封装上。
意法半导体的STGSH80HB65DAG器件将两个igbt和二极管结合在半桥拓扑结构中,安装在非常紧凑,坚固耐用,易于表面安装的封装上。该器件是HB系列igbt的一部分,针对传导和开关损耗的软换相进行了优化。每个开关中都包含一个具有低降正向电压的自由转动二极管。其结果是一个专门设计的产品,以最大限度地提高任何谐振和软开关应用的效率。
AQG 324合格
高速交换系列
最高结温:T(J) = +175℃
在I(C) = 80a时,低电压(CE(sat)) = 1.7 V(type)
尾电流最小
严密的参数分布
由于DBC衬底,热阻低
正温度V(CE(sat))系数
软和非常快的恢复反平行二极管
隔离等级3.4 kV(RMS)/min
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