为了为电信、工业和计算应用提供更高的效率和功率密度，Vishay在其顶部冷却PowerPAK 8 x 8LR封装中提供第四代600 V E系列功率MOSFET。与上一代器件相比，n通道SiHR080N60E的导通电阻降低了27%，栅极电荷(用于功率转换应用的600 V mosfet的关键性能值(FOM))的电阻倍降低了60%，同时在更小的占地面积下提供更高的电流。SiHR080N60E采用10.42 mm × 8 mm × 1.65 mm的顶部冷却PowerPAK 8 × 8LR封装，占地面积比D(2)PAK小50.8%，高度降低66%。

由于其顶部冷却，该封装具有出色的热性能，结壳热阻极低，为+0.25°C/W。在相同的导通电阻水平下，这允许比D(2)PAK高46%的电流，从而实现显着更高的功率密度。此外，SiHR080N60E具有业界最低的3.1 欧姆*nC导通电阻倍栅极电荷FOM，可降低导通和开关损耗，从而在大于2 kW的电力系统中节省能源并提高效率。

MOSFET的典型有效输出电容C(o(er))和C(o(tr))分别为79 pF和499 pF，可提高功率因数校正(PFC)、半桥和双开关正向设计等硬开关拓扑中的开关性能。Vishay提供广泛的MOSFET技术，支持功率转换过程的各个阶段，从高压输入到为高科技设备供电所需的低压输出。随着SiHR080N60E和其他第四代600 V E系列器件的推出，该公司正在解决电力系统架构的两个第一阶段的效率和功率密度改进需求:PFC和随后的DC/DC转换器模块。