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摘要： 基于碳化硅(SiC)的1200V功率mosfet，采用成熟的4引脚TO-247塑料封装。
Nexperia NSF0x120L4A0 n沟道mosfet是基于碳化硅(SiC)的1200V功率mosfet，采用成熟的4引脚TO-247塑料封装。这些mosfet具有优异的漏源导通状态电阻温度稳定性。NSF0x120L4A0 n沟道mosfet提供非常低的开关损耗，快速反向恢复和快速开关速度。由于额外的开尔文源引脚，这些mosfet提供更快的整流和改进的开关。NSF0x120L4A0 n沟道mosfet的最大栅源电压为22V，最大结温为175°C。这些mosfet符合欧盟rohs标准。典型的应用包括电动汽车充电基础设施、光伏逆变器、开关模式电源(SMPS)、不间断电源和电机驱动。
优异的漏源导通电阻温度稳定性
极低的开关损耗
快速反向恢复
切换速度快
温度无关关断开关损耗
由于额外的开尔文源引脚，更快的换相和改进的开关
最大漏源电压1200V
22V最大栅源电压
175°C最高结温
存储温度范围-55℃~ 150℃
260°C峰值焊接温度
4针TO-247塑料封装
欧盟通过无铅认证
电动汽车充电基础设施
光伏逆变器
开关电源(SMPS)
不间断电源
马达驱动器
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