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摘要： Nisshinbo Micro Devices的R5449Z单芯锂离子电池保护IC是高侧n沟道mosfet和温度监测的理想选择。
Nisshinbo Micro Devices的R5449Z单芯锂离子/聚合物电池保护IC提供过充电，过放电，放电/充电过电流和温度的检测器电路。该IC可以驱动外部高侧n沟道mosfet，提供高精度的过充电和过电流检测，并为0 V电池提供高精度的充电抑制。通过关闭内部电路，R5449 IC可以在过放电检测后将电源电流降低到最小。额外的CTL引脚可以强制IC进入待机模式。
绝对最大额定值:6.5 V
供电电流正常模式:5.0 μA型。
待机电流:0.04 μA。
封装:WLCSP-8-P8 (1.50 mm x 1.08 mm x 0.34 mm)
探测器可选范围和精度:
过充检测电压:4.2 V ~ 4.6 V (0.005 V步进±10mv)
过放电检测电压(V(DET2)): 2.0 V ~ 3.4 V(在0.005 V步进，±35mv)
放电过流检测电压(V(DET3)): 0.012 V ~ 0.150 V(在0.001 V步进)
充电过流检测电压:-0.150 V ~ -0.012 V (0.001 V步进)
短路检测电压(V(SHORT)): 0.032 V ~ 0.200 V(在0.005 V步进±3 mV)
V(SHORT)可配置范围取决于V(DET3)的设定值
抑制电压:1.25 V ~ 2.00 V (0.05 V步进±50 mV)
热检测温度:+40°C ~ +85°C(+5°C步进，±3°C)
内部固定输出延时时间:
过充检测延时时间:1024ms / 2048ms / 3072ms / 4096ms
过放电检测延时时间:16ms / 32ms / 128ms
放电过流检测延时时间:32ms / 128ms / 256ms / 512ms /1024 ms
短路检测延时时间:280 μs
充电过流检测延迟时间:8ms
热检测延时时间:128 ms/512 ms/1024 ms/4096 ms
可选功能:
无义时间(T(TNS)): 90ms / 528ms / 1040ms
检测时间(T(TS)): 10ms
充电过流检测:开启/关闭
0v电池充电:抑制
过流检测:高侧(RSENS到V+)
热保护:充放电电流
外部NTC热敏电阻:100 k欧姆/470 k欧姆
温度监测周期:
电流检测:电阻/场效应管
用于电池组的锂离子保护ic
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