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摘要： 高性能、高可靠性和高效率的SiC固态硬盘是工业应用的理想选择。
三安半导体碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)采用三安先进的第三代碳化硅SBD技术开发，具有高性能和可靠性。与基于si的解决方案相比，这些sdd具有更高的效率、更高的工作温度、更低的损耗和更高的工作频率。肖特基结构在关断时没有恢复，并且允许低泄漏电流和高达1200V的反向电压。它有助于系统小型化，实现系统轻量化设计。采用符合rohs标准的组件，三安半导体的SiC固态硬盘适用于工业应用。
革命性碳化硅(SiC)半导体材料
无反向回收
高速交换性能
不受温度影响的开关行为
由于降低了冷却要求，节省了系统成本/尺寸
单或双阳极公共阴极配置选项
表面安装和通孔封装
DFN8*8-4L, TO-220-2L, TO-247-2L, TO-247-3L, TO-252-2L, TO-263-2L, TO-3PF-3L包装选项
结温范围-55℃至+175℃
无卤素，符合rohs标准
工业电源和工业UPS
电池充电器
太阳能逆变器
开关电源
正向电流范围为2A至60A
21A至504A正向浪涌电流范围
1.3V至1.4V正向电压范围
650V或1.2kV反向电压选择
12µA至120µA反向电流范围
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