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摘要： 适用于高效dc - dc转换器，开关稳压器和电机驱动器。
东芝UMOS9-H硅n沟道mosfet是高效dc - dc转换器、开关稳压器和电机驱动器的理想选择。这些mosfet具有小栅极电荷，小输出电荷，低漏源导通电阻和低漏电流。UMOS9-H n沟道mosfet具有80V漏源电压，±20V栅源电压和175°C通道温度。这些mosfet还具有±0.1µA栅极泄漏电流，10µA漏极截止电流，以及-55°C至175°C的存储温度范围。UMOS9-H N沟道mosfet符合rohs标准，采用0.108g 2-5W1A (SOP Advance (N))封装。
高速开关
栅极电荷小
输出电荷小
低漏源导通电阻
低漏电流
80V漏源电压
±20V栅源电压
175°C通道温度
±0.1µA栅漏电流
10µA漏极截止电流
储存温度范围-55℃~ 175℃
高效dc - dc转换器
开关电压调节器
电机驱动程序
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