摘要: SMC Diode Solutions的S4D80120S2 SiC肖特基整流器在极端温度下具有低的总传导损耗和稳定的开关特性。

SMC Diode Solutions的S4D80120S2 SiC肖特基整流器封装在SOT-277外壳中。该器件是一个高压肖特基整流器,在极端温度下具有非常低的总传导损耗和非常稳定的开关特性。S4D80120S2非常适合在具有挑战性的环境中进行对能量敏感的高频应用。
+175℃T(J)操作
超低开关损耗
开关速度与工作温度无关
低总导通损耗
开关电源输出整流
反极性保护
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