S2M0120120K/D 1200v SiC功率MOSFET的介绍、特性、及应用

SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120K

S2M0120120K/D 1200v SiC功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-05-20

摘要： SMC Diode Solutions的S2M0120120K/D是高压n沟道增强模式mosfet。

SMC Diode Solutions的S2M0120120K/D是封装在TO-247-4 (S2M0120120K)或TO-247-3外壳(S2M0120120D)中的单SiC功率MOSFET。它是一种高电压n沟道增强模式MOSFET，具有非常低的总导通损耗和非常稳定的极端温度下的开关特性。S2M0120120K/D是在具有挑战性的环境中对能量敏感的高频应用的理想选择。

特性

正温特性易于并联
低导通电阻:类型。R(DS(ON)) = 133 毫欧
开关速度快，开关损耗低

开关电源(SMPS)
直流/直流转换器
储能系统(ESS)

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