S2M0160120K/D 1200 V SiC功率mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-05-20

摘要： SMC Diode Solutions的S2M0160120K/D SiC功率mosfet是在具有挑战性的环境中对能量敏感的高频应用的理想选择。

SMC Diode Solutions的S2M0160120K和S2M0160120D是单SiC功率mosfet，封装在TO-247-4外壳(S2M0160120K)或TO-247-3外壳(S2M0160120D)中。该器件是高压n沟道增强模式mosfet，具有非常低的总导通损耗和在极端温度下非常稳定的开关特性。

S2M0160120K/D mosfet是具有挑战性环境中能量敏感高频应用的理想选择。

特性

正温特性，易于并联
低导通电阻R(DS(ON)): 175 毫欧(类型)

开关电源(SMPS)
直流/直流转换器
储能系统(ESS)

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