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摘要： 设计用于驱动xEV牵引逆变器中的SiC和IGBT模块。
NXP Semiconductors GD3162高级IGBT/SiC栅极驱动器设计用于驱动xEV牵引逆变器中的SiC和IGBT模块。NXP Semiconductors GD3162驱动器通过先进的栅极驱动功能节省空间并提高性能。该器件包括集成的电流隔离、可编程SPI接口和高级保护功能，如过温、去饱和和电流感保护。凭借集成的升压能力，GD3162可以直接驱动大多数SiC MOSFET和IGBT/SiC模块门。
集成升压能力，提高驱动强度高达10A/20A/30A源/吸收电流
最大输出电压25V (CC)
可编程ADC延迟- PWM上升沿或下降沿的采样延迟高达8μs
集成高压温度传感(TSENSE)，用于NTC热敏电阻或二极管传感器，具有可编程偏移和增益
快速V(CE) DeSat检测及反应时间:小于1µs (SiC)
改进PWM死区范围，降低开关损耗(SiC)
可编程2级关断(2LTO)和软关机(SSD)
提供mcu控制或安全逻辑控制栅极驱动，主动放电直流链路电容
附加可编程故障引脚(INTA)
综合高压故障管理(FSISO)
可编程V(CE)输出监控
最小共模暂态抗扰度(CMTI)大于100V/ns
每个UL1577的5,000V(均方根)电流隔离(计划)
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