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微商用元件(MCC) 100V 7.5毫欧 n沟道mosfet的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2024-06-12

摘要: 提供分栅沟槽(SGT)技术,100V容量,导通电阻仅为7.5毫欧。

微商用元件(MCC) 100V 7.5毫欧 n沟道mosfet提供分栅沟槽(SGT)技术,100V容量,导通电阻仅为7.5毫欧。这些功能为不同的电子系统提供了明显的优势(从提高效率到优化操作的快速切换)。无引线DFN5060封装消除了空间限制,使其成为新兴设计的完美选择,而DPAK选项通过最小的调整简化了现有产品的升级。双封装选项确保了各种设计需求的适应性和兼容性,同时简化了选择,而不会牺牲性能或易于集成。


特性

  • 分门沟槽技术,提高效率

  • 优异的热性能,可靠性高

  • 低RDS(on),提高电源效率

  • 用于空间受限应用的高功率密度封装

  • 切换速度快,提高操作效率

  • 无铅DFN5060和带铅DPAK封装选项的多功能性

  • 低栅极电荷,提高能源效率

  • 高电流处理能力,运行稳健

  • 湿度敏感等级(MSL

  • 环氧树脂符合UL 94 V-0可燃性等级

  • 无卤素,绿色设备

  • 无铅表面处理,符合rohs标准


应用程序

  • 电池管理系统

    • 充放电电路

    • 保护电路

    • Pre-charge电路

  • 马达驱动器

    • 直流无刷电机功率级

    • SR电机驱动器

  • 照明控制

    • 领导的司机

    • 调光电路

    • 照明装置用电源装置

  • 直流-直流转换器

    • 相位开关电路

    • 同步整流电路


规范

  • 最大漏源电压100V

  • ±20V最大栅源电压

  • 1µA零栅电压漏极电流

  • 7.5毫欧最大漏源导通电阻在10V, 20A至30A

  • 1.2V最大二极管正向电压

  • 最大连续体二极管电流75A或80A

  • 最小反向恢复时间34ns或55ns

  • -55℃~ +150℃工作结温范围


数据表

  • n沟道MOSFET

  • n沟道MOSFET

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