摘要: 提供分栅沟槽(SGT)技术,100V容量,导通电阻仅为7.5毫欧。
微商用元件(MCC) 100V 7.5毫欧 n沟道mosfet提供分栅沟槽(SGT)技术,100V容量,导通电阻仅为7.5毫欧。这些功能为不同的电子系统提供了明显的优势(从提高效率到优化操作的快速切换)。无引线DFN5060封装消除了空间限制,使其成为新兴设计的完美选择,而DPAK选项通过最小的调整简化了现有产品的升级。双封装选项确保了各种设计需求的适应性和兼容性,同时简化了选择,而不会牺牲性能或易于集成。
分门沟槽技术,提高效率
优异的热性能,可靠性高
低RDS(on),提高电源效率
用于空间受限应用的高功率密度封装
切换速度快,提高操作效率
无铅DFN5060和带铅DPAK封装选项的多功能性
低栅极电荷,提高能源效率
高电流处理能力,运行稳健
湿度敏感等级(MSL
环氧树脂符合UL 94 V-0可燃性等级
无卤素,绿色设备
无铅表面处理,符合rohs标准
电池管理系统
充放电电路
保护电路
Pre-charge电路
马达驱动器
直流无刷电机功率级
SR电机驱动器
照明控制
领导的司机
调光电路
照明装置用电源装置
直流-直流转换器
相位开关电路
同步整流电路
最大漏源电压100V
±20V最大栅源电压
1µA零栅电压漏极电流
7.5毫欧最大漏源导通电阻在10V, 20A至30A
1.2V最大二极管正向电压
最大连续体二极管电流75A或80A
最小反向恢复时间34ns或55ns
-55℃~ +150℃工作结温范围
n沟道MOSFET
n沟道MOSFET
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