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ROHM半导体RFNxRSM2S超快速恢复二极管的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2024-06-12

摘要: 具有低正向电压和低开关损耗的硅外延平面二极管。

ROHM Semiconductor RFNxRSM2S超快速恢复二极管是具有低正向电压和低开关损耗的硅外延平面二极管。这些超高速二极管具有200V峰值反向电压和-55°C至175°C的存储温度范围。RFNxRSM2S超高速恢复二极管提供高电流过载能力。这些二极管采用TO-277A封装。RFNxRSM2S超快速恢复二极管符合rohs标准,是一般整流应用的理想选择。


特性

  • 硅外延平面型结构

  • 200V峰值反向电压

  • 低正向电压

  • 低开关损耗

  • 大电流过载能力


应用程序

  • 一般整流

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