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ROHM SEMICONDUCTOR 半导体 VSXUA1LBTBR1

ROHM半导体VSxUA1LBTBR1瞬态电压抑制器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-06-17

摘要： 高可靠性TVS二极管是DO-214AA(SMB)封装中浪涌保护的理想选择。

ROHM半导体VSxUA1LBTBR1瞬态电压抑制器的介绍、特性、及应用

ROHM半导体VSxUA1LBTBR1瞬态电压抑制器是高可靠性TVS二极管。这些电压抑制器具有600W峰值脉冲功率和150°C结温。VSxUA1LBTBR1瞬态电压抑制器包括硅外延平面结构。这些TVS二极管采用DO-214AA (SMB)封装的小功率模具类型。这些暂态电压抑制器是理想的浪涌保护应用。

特性

硅外延平面结构
高可靠性

峰值脉冲功率600W
小模具型

应用程序

过载保护

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