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摘要： 设计最小化导通状态电阻并保持优异的开关性能。
DMWSH120Hx 1200V n沟道功率mosfet是碳化硅mosfet，设计用于最小化导通状态电阻并保持优异的开关性能。这些mosfet具有低输入电容，高达100μA的零栅极电压漏极电流，高达±250nA的栅极源漏极，以及高BV(DSS)额定值，适用于电源应用。DMWSH120Hx mosfet工作温度范围为-55°C至175°C，符合UL 94V-0可燃性分类等级。这些功率mosfet是EV大功率DC-DC转换器，EV充电系统，太阳能逆变器，AC-DC牵引逆变器和汽车电机驱动器的理想选择。
低导通电阻
高BV(DSS)额定功率应用
低输入电容
高达100μA的零栅极电压漏极电流
高达±250nA的栅源泄漏
无铅完成
通过无铅认证
UL 94V-0可燃性分类等级
工作温度范围-55℃~ 175℃
AEC-Q101合格(DMWSH120H28SM3Q、DMWSH120H28SM4Q、DMWSH120H90SM3Q、DMWSH120H90SM4Q)
可在TO247, TO247- r，或TO263-7包
EV大功率DC-DC变换器
电动汽车充电系统
太阳能逆变器
交直流牵引逆变器
汽车电机驾驶员
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