微商用元件(MCC) MCACLS n沟道双侧冷却mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-06-25

摘要： 具有优异的热工性能，漏源电压为40V，通过AEC-Q101认证。

MCACLS N-Channel dual side Cooling (DSC) MOSFET采用Split Gate Trench (SGT) MOSFET技术，在40V漏源电压下具有卓越的热性能。这些mosfet提供了一个极好的散热封装。MCACLS n沟道mosfet符合UL 94 V-0可燃性等级，并且不含铅和卤素。这些mosfet通过AEC-Q101认证，可在DFN5060封装中使用。带有DSC的DFN5060封装在顶部和底部提供热垫，并在顶部提供额外的传递路径，用于连接到外壳的热阻。典型的应用包括电池管理系统(BMS)、电动助力转向(EPS)、座椅控制、照明控制、电动水泵、电机驱动和DC-DC转换器。

特性

分栅沟(SGT) MOSFET技术
良好的散热包装
环氧树脂符合UL 94 V-0可燃性等级
AEC-Q101合格

湿度敏感度等级1 (MSL 1)
无铅无卤
通过无铅认证
DFN5060封装(5mm x 6mm)

规范

漏源电压40V
±20V栅源电压
±100nA栅源泄漏电流
1μA零栅极漏极电流(V(DS)=32V, V(GS)=0V)
2V ~ 4V门限电压范围(V(DS)=V(GS)， I(D)=250µA)
连续漏极电流:

290 (T (C) = 25°C)
205 (T (C) = 100°C)
330 (T (C) = 25°C)
233 (T (C) = 100°C)
MCACLS330N04YAHE3:
MCACLS290N04YHE3:

脉冲漏极电流:

1320 (MCACLS330N04YAHE3)
1160 (MCACLS290N04YHE3)

总功耗:

263 w (MCACLS330N04YAHE3)
195 w (MCACLS290N04YHE3)

Avalance能源(T (j) = 25°C、V (DD) = 30 V, V (G) = 10 V, R (G) = 25欧姆,L = 12 mh):

1350年乔丹(MCACLS330N04YAHE3)
330年乔丹(MCACLS290N04YHE3)

漏源极导通电阻:

1.1毫欧 maximum (V(GS)=10V, I(D)=60A)
1.1毫欧 maximum (V(GS)=10V, I(D)=75A)
2毫欧 maximum (V(GS)=6V, I(D)=20A)
MCACLS330N04YAHE3:
(MCACLS290N04YHE3):

应用程序

汽车

电池管理系统(BMS)
电动助力转向(EPS)
座位控制
照明控制
电动水泵
马达驱动器
直流-直流转换器

工业:

电池管理系统(BMS)
马达驱动器

消费者:

电动工具
园林工具

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