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摘要： 特性3200Mbps的数据速率，双向差分数据频闪和数据掩码写数据。
Zentel 4Gb DDR4 SDRAM具有伪开漏(POD)接口，用于数据输入/输出，工作温度范围为0°C至95°C(商用级)。该SDRAM支持命令/地址延迟(CAL)、异步复位、降档模式(1/2和1/4速率)、可编程前导、自刷新中止和温度控制刷新(TCR)模式。4Gb DDR4 SDRAM具有3200Mbps的数据速率，双向差分数据频闪和用于写入数据的数据掩码(DM)。该SDRAM符合JEDEC jed -79-4标准，采用96球FBGA封装。
3200Mbps数据速率(DDR4-3200)
双向差分数据频闪(DQS_t和DQS_c)
用于数据输入/输出的伪开漏(POD)接口
支持低功耗自动刷新(LPASR)模式
命令/地址延迟(CAL)
支持TCR (Temperature Controlled Refresh)模式
高速数据传输采用8位预取
支持hPPR和sPPR
支持异步复位
DM (Data Mask)，用于写数据
标称、停放和动态模内端接(ODT)
8内部银行
电源:
V (DD) = V (DDQ) = 1.2±5%
V (PP) = 2.5 - 5% + 10%
0℃~ 95℃工作机箱温度范围
差分时钟输入操作(CK_t和CK_c)
刷新周期:
0℃≤T(C)≤85℃时7.8μs
在85℃≤T(C)≤95℃时为3.9μs
平均刷新周期:
多用途寄存器的读写能力
支持写调平和可编程序言
符合JEDEC jed -79-4标准
提供96球FBGA封装
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