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摘要： 集成解决方案，具有过流/过压保护和内部9毫欧 n沟道MOSFET。
Analog Devices公司LTC4381低静态电流熔断是一个集成的解决方案与内部9毫欧 n沟道MOSFET。过电压保护是通过箝位内部9毫欧 n沟道MOSFET栅极电压来提供的，以便在过电压事件(如汽车中的负载转储)期间将输出电压限制在安全值。MOSFET的安全工作区域经过生产测试，并保证高压瞬变期间的应力。固定输出箝位电压可用于12V和24V/28V系统。对于任何电压高达80V的系统，使用可调节的夹具版本。
还提供过流保护。内部倍增器产生与V(DS)和I(D)成比例的TMR引脚电流，因此在过流和过压条件下的工作时间都受到MOSFET应力的限制。GATE引脚可以驱动背对背mosfet进行反向输入保护，消除了肖特基二极管解决方案的压降和耗散。低6μA的工作电流允许在始终打开和电池供电的应用中使用。
Analog Devices LTC4381低静态电流熔断器采用32引脚DFN (7mm × 5mm)塑料封装，工作温度范围为-40°至+125°C。
耐高达100V的浪涌电压
内部9毫欧 n沟道MOSFET
在70V, 1A下保证20ms的安全工作区域
6µA工作低静态电流
通过汽车冷曲柄操作
宽4V至72V工作电压范围
不需要输入电视
过电流保护
可选内部28.5V/47V或可调输出箝位电压
反向输入保护至-60V
可调开启阈值
具有MOSFET应力加速的可调故障定时器
锁止和重试选项
故障时重试占空比低
32引脚DFN (7mm × 5mm)封装
汽车12V, 24V和48V系统
航空电子/工业浪涌保护
热插拔/热插入
用于电池供电系统的高位开关
汽车卸荷保护
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