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摘要： 800V，齐纳保护，100%雪崩测试，是反激转换器和LED照明的理想选择。
意法半导体n通道MDmesh K6功率mosfet是齐纳保护和100%雪崩测试。这些功率mosfet具有800V漏源击穿电压，±30V栅极源电压和-55°C至150°C的工作结温范围。MDmesh K6功率MOSFET还具有5V/ns二极管峰值恢复电压斜率，100A/µs二极管峰值恢复电流斜率和120V/ns MOSFET dv/dt坚固性。典型应用包括笔记本电脑和AIO，反激转换器，平板电脑适配器和LED照明。
MDmesh K6技术
超低栅极电荷
100%雪崩测试
Zener-protected
最小漏源击穿电压800V
±30V栅源电压
5V/ns二极管恢复电压斜率峰值
100A/µs二极管峰值恢复电流斜率
120V/ns MOSFET dv/dt坚固性
-55℃~ 150℃工作结温范围
笔记本和AIO
回程转换器
平板电脑适配器
LED照明
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