摘要: 提供高精度、超低电流消耗和轻量化设计。
ROHM Semiconductor BD5230G-1TR CMOS电压检测器(复位)IC具有高精度,超低电流消耗和轻量化设计。该电压检测器IC的延迟时间设置可以使用外部电容进行微调。BD5230G-1TR IC可用于0.9V至5V的特定检测电压范围,并可以0.1V的增量进行调节。在-40°C至85°C的整个工作温度范围内,时间延迟保持在±30%的精度。这款n通道开漏输出型电压检测器IC采用SSOP5封装,尺寸为2.90mm x 2.80mm x 1.25mm。典型的应用包括需要电压检测的消费类设备。
纳米能量
由外部电容控制的延迟时间设置
n通道开漏输出型
体积小,重量轻
0.9V至5V典型(0.1V增量)检测电压范围
270nA典型超低电流消耗
2.90mm × 2.80mm × 1.25mm SSOP5封装
±30%(-40℃~ 85℃,CT引脚电容≥1nF)延时精度
所有需要电压检测的消费类设备
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