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摘要： 具有集成栅极驱动器和六个n沟道功率mosfet。
意法半导体PWD5T60三相高密度功率驱动器采用集成栅极驱动器和6个n沟道功率mosfet。意法半导体PWD5T60驱动器是风扇、泵和小型电器等电机驱动应用的理想选择。驱动器具有1.38欧姆 R(DS(on))和500V阻断电压的mosfet。该器件的高集成度可在较小的占地面积下实现高效负载驱动，非常适合空间受限的设备。
驱动器具有用于每个输出的专用输入引脚，关闭引脚和CMOS/TTL兼容的逻辑输入，低至3.3V，确保易于接口。低侧和高侧部分之间匹配的延迟允许无失真，高频操作。坚固性是确保联锁和死区功能和先进的保护功能，如智能关机过载和过流。两侧的UVLO保护可防止低效率或危险情况，确保故障安全操作。集成的引导二极管和其他功能简化了PCB布局，降低了总体成本。驱动器安装在紧凑的VFQFPN 12mm x 12mm x 0.95mm封装中。
集成栅极驱动器和高压功率mosfet的功率驱动器R(DS(on)) = 1.38欧姆
Bv (dss) = 500v
宽输入电源电压范围从9V到20V
集成零降自举二极管
比较器快速过流保护与智能关机功能
超温保护
3.3V、5V TTL/CMOS输入带迟滞
匹配所有信道的传播延迟
UVLO功能在低侧和高侧
联锁和死时间功能
专用使能引脚
非常紧凑和简化的布局
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