凌力尔特公司推出三路输出μModule(电源模块)稳压器LTM4632，用于为新型QDR4和较老式的DDR SRAM之所有三个电压轨供电：VDDQ、VTT、VTTR(或VREF)。LTM4632采用一个微型、轻量和超薄的LGA封装，其可焊接在PCB的背面，配合采用一个电阻器和三个电容器时，占板面积仅为0.5cm2(双面)或1cm2(单面)。一个LTM4632能提供3A VDDQ和±3A VTT(=1/2*VDDQ)，所以两个并联的LTM4632能够为较大的存储器组提供高达每电源轨6A。对于超过6A的VDDQ，LTM4632可配置为与LTM4630一起给大型SRAM阵列提供介于18A和36A之间的VDDQ。如果VDDQ已经可用，则可配置LTM4632以提供一个高达6A的两相单路VTT输出。

  LTM4632可采用一个3.3V的低输入电源、以及标准的5V和12V输入(最高15V)工作。两个输出电压(VDDQ和VTT)的范围均为0.6V至2.5V。第三个输出是一个用于SRAM之VTTR的低噪声10mA缓冲输出。应用包括PCIe、基于云的系统、RAID、视频处理和采用这些SRAM的网络：DDR/DDR-II/DDR-III/DDR4/QDR/QDR-II/QDR-II+和QDR4。

  LTM4632包含一个三路输出DC/DC稳压器、电压除二电路、电源开关、电感器和支持组件，采用了紧凑和超薄的封装。LTM4632的额定工作温度范围为-40°C至125°C。E级版本的千片批购价为每片7.35美元，而I级版本的千片批购价则为每片8.09美元。

  性能概要：LTM4632

  · 占板面积为1cm2(单面 PCB)或0.5cm2(双面 PCB)的完整DDR/QDR4存储器电源解决方案

  · 3A VDDQ+3A VTT或两相单路6A VTT

  · 宽输入电压范围：3.6V(VIN连接至INTVCC)至15V

  · 0.6V至2.5V输出电压范围

  · ±1.5%、±10mA缓冲VTTR=VDDQ/2输出

  · 外部频率同步

  · 超薄型6.25mmx6.25mmx1.82mmLGA封装