贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销Panasonic氮化镓(GaN)解决方案。为满足现代电源的效率和功率密度设计需要，设计工程师一直在寻找GaN技术等可替代传统MOS技术的方案，以节省能源、降低各种工业和消费电力交换系统的尺寸。Panasonic的GaN 解决方案包括功率晶体管、栅极驱动器和评估板，可降低各种电源应用的能量损耗，例如电源、太阳能逆变器、发动机驱动器、电动汽车 (EV) 等。

  Mouser现在备货的氮化镓(GaN)解决方案在具有高击穿电压和低导通电阻的硅衬底上使用复合材料GaN，相较于传统硅器件开关速度更高，更易微型化。PGA26E19BA GaN表面贴装 (SMD) 功率晶体管是一个带有600V击穿电压的增强型常关电源开关。即将上市(Mouser备货)的 PGA26C09DV GaN功率晶体管采用TO-220封装，击穿电压同样为600V，可防止电流崩塌。两款器件都具有零恢复损耗，并采用松下专有的栅极注入晶体管(GIT)技术，可实现低导通电阻。GIT技术亦可防止因高电压下导通电阻持续增加而引起的电流崩塌， 确保器件安全工作。

  Mouser同时备货的Panasonic AN34092B高速栅极驱动器仅需最少的外部元器件即可驱动SMD或TO-220 GaN 晶体管。该单通道高速栅极驱动集成恒流源和负电压电路，支持可调源电流(2.5 mA 至25mA)和外部电阻。AN34092B栅极驱动器提供欠压锁定和热保护功能，内含VR引脚电压和负电压监控电路。

  PGA26E19BA SMD晶体管和AN34092B栅极驱动器由Mouser备货的PGA26E19BA-SWEVB006斩波评估板提供支持，该评估板可用于测量板载PGA26E19BA 晶体管的开关特性(AN34092B栅极驱动器可增强其性能)。PGA26C09DV TO-220晶体管的的开关特性可通过 PGA26C09DV-SWEVB001评估板进行测量。