ST推出新款的集成微波宽带射频合成器 STuW81300单片，可覆盖1.925GHz至16GHz的射频频段，创下IC市场上最宽频带和最高频率的记录。与基于III-V技术的低集成度的传统微波射频合成器相比，STuW81300采用意法半导体的具有业界领先性能的BiCMOS SiGe集成制造工艺，可降低组件成本，实现经济效益更高的多用途射频架构。

  STuW81300整合了N型分频锁相环(PLL，phase-locked-loop)内核，以及低器噪宽带压控振荡器(VCO，voltage-controlled oscillators)和稳压器。此外，STuW81300还提供各种可编程硬件选项，以满足最新和未来射频/微波应用需求，其中包括射频通信、卫星通信、基站、测试测量设备。

  为支撑微波应用市场迅猛扩张，微波频段(6GHz以上)的使用规模正在稳步增长，市场需要成本结构优化的能够开拓新市场的新一代射频设备。将分立的砷化镓(GaAs，gallium arsenide)架构集成到宽带SiGe芯片内，可满足这个需求。

  STuW81300的主要技术特性有:

  ? 最宽的工作频段，1.925GHz-16GHz(可分配给两个射频输出)

  ? 内部宽带匹配射频输出功率：+6dBm@6GHz; +4dBm@12GHz

  ? 倍频输出基本VCO抑制高于20dB

  ? -227dBc/Hz归一化带内相噪底

  ? VCO相位噪声(6.0GHz)：-131dBc/Hz @ 1MHz频偏

  ? 噪底(6.0GHz):-158dBc/Hz

  ? VCO相位噪声(12.0GHz)：-125dBc/Hz @ 1MHz频偏

  ? 噪底(12.0GHz):-154dBc/Hz

  ? 0.13ps典型RMS频率抖动

  作为意法半导体的获得市场成功的STW81200和STW8110x产品系列的升级换代产品，新射频合成器提供高性能和高灵活性，可以同时在同一电路板设计上支持多频带和多射频标准。例如在卫星通信应用中，STuW81300可直接用作本机振荡器，在电路板连接一个倍频器，可调制解调Ku频段信号或者Ka频段信号。在其它应用中，STuW81300还能完全驱动外部压控振荡器(例如GaAs)。

  5V或3.6V非稳压单电源让STW81300在市场上独一无二，结合优化的功耗和性能，使其应用范围从传统市电供电基础设施扩至低功耗应用。

  意法半导体目前已开始提供STuW81300测试样片，并获得多家客户采用，预计2016将实现量产。意法半导体还可提供评估套件和6x6mm四边扁平封装的样片。评估工具包括STWPLLSim软件工具，让开发人员能够按照项目实际要求快速且准确地修改应用设计。