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意法半导体推出新款汽车质量级碳化硅(SiC)二极管

来源:http://news.hqew.com/info-286955.html 发布时间:2014-12-18

摘要: 意法半导体推出新款汽车质量级碳化硅(SiC)二极管,以满足电动汽车和插电式混合动力汽车 (PHEV, Plug-in Hybrids) 等新能源汽车对车载充电器(OBC, on-board battery chargers)在有限空间内处理大功率的苛刻要求。这些二极管让设计人员能够研发...

  意法半导体推出新款汽车质量级碳化硅(SiC)二极管,以满足电动汽车和插电式混合动力汽车 (PHEV, Plug-in Hybrids) 等新能源汽车对车载充电器(OBC, on-board battery chargers)在有限空间内处理大功率的苛刻要求。

 

  这些二极管让设计人员能够研发更小的电源模块,这不仅对汽车电源系统有益,还使其成为克服Google和IEEE提出的逆变器小型化挑战的关键选择。Google出资高达100万美元奖金征集比现有逆变器的十分之一还小,且适合各种应用领域,特别是太阳能微型发电机 (solar micro-generator) 的千瓦级逆变器设计;意法半导体是这项公开挑战赛的合作厂商。

 

  新款二极管采用先进技术,防止大脉冲电流 (high-current spikes) 烧毁装置。为了安全起见,设计人员至今还在超额使用二极管。意法半导体开发的新产品彻底改变了这一局面,过流保护值是额定电流值的2.5倍,因此设计人员可选用更小、更经济且可靠性和能效都不会受到影响的电流更小的二极管。

 

  意法半导体的新碳化硅二极管通过汽车级产品测试,极性接反击穿电压提高到650V,能够满足设计人员和汽车厂商希望降低电压补偿系数 (voltage derating factor) 的要求,以确保车载充电半导体元器件的标称电压与瞬间峰压 (peak voltage) 之间有充足的安全裕度 (safety margin)。

 

  碳化硅作为宽带隙(WBG, Wide Band-Gap)技术,具有众所周知的能效优势;相对于元器件本身的尺寸,比较开关损耗 (switching loss) 和额定电压 (voltage rating) 两项参数,新产品均优于传统硅二极管。这次推出的650V二极管包括TO-220AC功率封装的10A STPSC10H065DY和 TO-220AC封装的12A STPSC12H065DY。此外,TO-220AB封装的STPSC20H065CTY和TO-247封装的STPSC20H065CWY是内置2个10A二极管的双管产品 (dual-diode),可最大限度提升空间利用率,降低车载充电器的重量。

 

  所有新产品均已量产,可立即供货。

  

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