包括赛普拉斯半导体公司和瑞萨电子公司(TSE: 6723)在内的QDR联盟日前宣布推出业界最快的四倍数据率(QDR) SRAM（静态随机存取存储器）。这些新型存储器将被命名为QDRII+ Xtreme并将以高达633兆赫兹（MHz）的时钟频率允许。这些器件将与现有的QDR II+器件在管脚、尺寸和功能方面兼容，从而使网络交换机、路由器及聚合平台制造商不必修改电路板设计，只需提高系统内时钟速度即可大幅改善产品性能。

新型QDR II+ Xtreme SRAM将采用x18 o或x36字宽，4或2次突发访问。4次突发器件的随机存取速率（RTR）可达每秒6.33亿次，工作时钟频率为633MHz，这是QDR SRAM器件现有的最高速度。2次突发器件以450MHz的频率工作，RTR可达每秒9亿次随机传输，这比以同样频率运行的上一代4次突发器件的RTR提高了一倍。 随机存取速率的定义是每秒进行的完全随机存取次数，是重要的存储器指标，用以衡量增加的线或交换速度。

赛普拉斯存储器事业部执行副总裁Dana Nazarian 说：“QDR II+ Xtreme产品无需重新进行系统设计即可大幅提升性能，这对于期望赶上流量要求步伐的网络设备制造商非常有吸引力。QDR联盟正积极制定一系列后续解决方案，以支持网络工业界对存储器不断提高的要求。”

瑞萨电子公司工业和网络事业部高级经理Hiroyuki Goto说：“SRAM器件是追求高性能存储器解决方案的客户的另一个很好的选择。我们很高兴能以QDR II+ Xtreme架构保持领先地位。”

供货情况
赛普拉斯的36兆比特(Mb)和72Mb QDR II+ Xtreme器件的工程样片将于2011年年中向领先客户提供。