摘要: 据银灿科技表示,目前由于 PC 及 笔记型计算机已大量内建 USB 3.0且Intel 及 AMD 都将南桥的 Reference Design 提前于 2010 年放入USB 3.0 的解决方案,可预见今年将是 USB 3.0 元年。对于USB 3.0 诉求的高速市场,以往都要多通道控制器搭配四...
据银灿科技表示,目前由于 PC 及 笔记型计算机已大量内建 USB 3.0且Intel 及 AMD 都将南桥的 Reference Design 提前于 2010 年放入USB 3.0 的解决方案,可预见今年将是 USB 3.0 元年。
对于USB 3.0 诉求的高速市场,以往都要多通道控制器搭配四颗FLASH才能发挥速度,对于UFD斤斤计较的体积难以量产产品。银灿科技今日推出 IS902 搭配现有2xnm/3xnm Flash与新一代DDR接口可以轻易达到极速。以3xnm SLC 为例,读取速度可达130MB/s ,写入速度可达130MB/s,效能凌驾市面上目前所有的四通道的UFD 及SSD 方案。
FLASH 效能方面
以3xnm MLC L63B 32GB为例,读取达 117MB/s,写入达 62MB/s。
Samsung 3xnm Toggle读取115MB/s,2xnm MLC 以 L74A 为例亦可以达到读取133MB/s,完全发挥 2xnm FL.ASH 更便宜的成本优势,可见银灿IS902双通道控制器效能及成本优势已经大幅超越目前其它四通道控制器的效能。
而UFD 最在意的体积方面,IS902 USB 3.0 UFD成品体积不论使用那一种FLASH都与USB 2.0 UFD相似甚至相同。就成本来看,目前USB 2.0 UFD与 USB 3.0 UFD装机成本差异仅约RMB10,更加速USB 3.0 取代USB 2.0 的时代来临。
以 SLC 16GB U3 pen drive为例,读写都可以大幅超越现有产品,甚至快过目前四通道的 USB SSD。
USB3.0 双通道 32GB MLC 性能
IS902 16GB U盘 插入USB2.0接口的效能
现有的各种 Toggle/ONFI DDR FLASH与 IS902 实机成品
极速的IS902 16GB体积
上图为内建IS902 的USB3.0 随身碟的应用设计范例及终端产品,依据各种 Flash 速度及容量不同,可以设计小巧但效能最大能达到写入130MB 的产品。
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