IR 推出SOT-23功率MOSFET产品系列

来源：http://news.hqew.com/info-172065.html 发布时间：2010-07-21

摘要： 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新HEXFET?功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以及电...

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新HEXFET?功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以及电信设备等应用。

新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中压硅技术，通过大幅降低90% RDS(on)显著改善了电流处理能力，为客户的特定应用优化了性能及价格。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“这个全新的SOT-23 MOSFET系列支持从 -30V至100V的宽电压范围，并提供不同水平的 RDS(on) 和栅极电荷 (Qg) ，从而为追求紧凑、高效率及低成本解决方案的客户带来更佳、更广泛的设计选择。”

新器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准，所采用的材料不含铅，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

产品规格

器件编号	BVDSS	25°C下的最大Id	10V下的典型/最大RDS(on) (m?)	4.5V下的典型/最大RDS(on) (m?)	典型Qg
IRLML9301TRPBF	-30V	3.6 A	51 / 64	82 / 103	4.8 nC
IRLML9303TRPBF	-30V	2.3 A	135 / 165	220 / 270	2.0 nC
IRLML0030TRPBF	30V	5.2 A	22 / 27	33 / 40	2.6 nC
IRLML2030TRPBF	30V	2.7 A	80 / 100	123 / 154	1.0 nC
IRLML0040TRPBF	40V	3.6 A	44 / 56	62 / 78	2.6 nC
IRLML0060TRPBF	60V	2.7 A	78 / 92	98 / 116	2.5 nC
IRLML2060TRPBF	60V	1.2 A	356 / 460	475 / 620	0.4 nC
IRLML0100TRPBF	100V	1.6 A	178 / 220	190 / 235	2.5 nC

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