Avago Technologies（安华高科技）近日动作频频，相继推出用于基站(BTS)射频前端设计的超低噪声放大器(LNA) MGA-634P8，以及一款GaAs MMIC 低噪声放大器新品MGA-633P8。

据介绍，MGA-634P8工作频段从1500兆赫到2300兆赫，拓展了其LNA系列，涵盖新的GSM、TDS-CDMA和CDMA蜂窝基础设施应用。

无线通信基础设施产业必须提供最佳的覆盖范围，才能在拥挤的频谱内提供最佳信号质量。接收器灵敏度是BTS接收器设计中最关键的要求。LNA选择，特别是第一阶段使用的LNA，对BTS接收器的性能有很大的影响，低噪声系数是一个关键的设计目标。MGA-634P8具有同类产品中最佳的噪声系数(NF)，在1900兆赫为0.44分贝，最高为0.69分贝。

另一个关键的设计因素是线性，它会影响接收器区分排列紧密的有用信号和杂散信号的能力。使用输出三阶截断点OIP3来指示线性度。在1900兆赫，以5伏48毫安的偏置电流工作，Avago特有的GaAs增强模式pHEMT工艺技术可以提供0.48分贝的噪声系数和36毫瓦分贝的OIP3。 相比以前的放大器，Avago的低NF和高OIP3的MGA-634P8能够为设计人员提供更多的余地去设计BTS接收器的路径，通过以非常低的静态功耗（约240毫瓦）来实现性能提升。

超低噪声放大器(LNA) MGA-634P8的关键功能

工作频段：1500MHz～2300MHz 超低噪声指数: 0.44dB @1900MHz 高线性: 36dBm OIP3@1900MHz 增益: 17.4dB@1900MHz 1dB增益压缩点输出功率: 21dBm@1900MHz 5V单电源供电典型48mA低功耗: 240mW 器件采用MGA-63xP8系列通用封装尺寸和外围匹配电路,简化了印刷电路板设计和生产 采用特有工艺：0.25μm GaAs增强模式pHEMT 提供卷带式封装选择 操作温度范围为 -25℃至+85℃。 采用 Pb-Free 环保无铅设计并符合 RoHS 标准要求

可调整性和通用引出线实现设计优化和灵活性

通过采用内置有源偏置电路，MGA-634P8的工作电流是可调的。这允许设计人员在工作电流和输出线性之间进行权衡取舍，同时保持最佳噪声系数。BTS设计人员可以通过同一款Avago LNA来应对各种设计需求和区域要求。

现在，随着发送/接收卡必须安装越来越多的信道，PCB基板已成为BTS工程师面临的一个关键设计挑战。MGA-634P8包装在方形扁平无引线的(QFN)塑料封装中，大小仅为4平方毫米，厚度为0.75毫米。

此外，新一代MGA-634P8 LNA与现有的900兆赫MGA-633P8 LNA具有相同的封装尺寸、引脚和外部匹配网络。因此，常见的PCB设计可以用于以不同频带工作的BTS射频前端设计，从而实现一个基本的PCB设计便可满足不同区域市场的需求。

作为AVAGO超低噪声、高增益、高线性 GaAs 有源偏置放大器家族的新成员，MGA-633P8得到了越来越多工程师的青睐，其关键特征主要体现在以下几方面：

超低噪声系数: 0.37dB @900MHz 高线性: 37dBm OIP3@900MHz 增益: 8dB@900MHz 输入回波损耗: 15dB@900MHz 1dB增益压缩点输出功率: 22dBm@900MHz 5V单电源供电典型54mA低功耗: 270mW 器件采用MGA-63xP8系列通用封装尺寸和外围匹配电路,简化了印刷电路板设计和生产 采用特有工艺：0.25μm GaAs增强模式pHEMT 提供卷带式封装选择 操作温度范围为 -25℃至+85℃。 采用 Pb-Free 环保无铅设计并符合 RoHS 标准要求

MGA-633P8 使用了 Avago 特有的 GaAs 增强模式 pHEMT 工艺来取得具备超低噪声指数的高增益。2.0mm x 2.0mm x 0.75mm 的紧凑 8-pin QFN 封装，并采用共通印刷电路板布局设计，MGA-633P8 在设计上可以帮助 450MHz 到 2,000MHz 频带工作的无线通信应用取得卓越的性能，设计工程师可以利用这款有源偏置低噪声放大器来开发更加紧凑具备更多功并且能满足设计工程师需求的新一代移动通信应用。紧凑的薄型尺寸和引脚设计安排搭配上低噪声、高增益和高线性，MGA-633P8 是线路终端设备、GSM、CDMA、WCDMA、CDMA2000 和 TD-SCDMA 移动通信基础设施应用的理想选择。

产品供货情形

Avago 的 MGA-634P8 低噪声放大器 (LNA) 目前已经通过 Avago 的授权代理商世强电讯提供样片。