近日，三星电子（Samsung）宣布已成功研发出全球首款单条容量高达32GB的LRDIMM型内存条，主要面向服务器应用。

  2009年三月份，三星就曾率先开始出货16GB DDR3 RDIMM内存条，使用了64颗50nm工艺2Gb内存颗粒，并且引入了双芯片(Dual-Die)封装技术。09年6月底，三星又迅速将DDR3 RDIMM内存条的容量扩大至32GB。

  现在推出的32GB DDR3内存条则使用了40nm级别工艺制造的新颗粒，工作频率1333MHz，电压1.35V或者1.5V，单颗容量翻番到4Gb，总共使用了72颗，每面四行、每行九颗，其中八颗用于校验。

  特别值得一提的是，该内存上还附加了一颗内存缓冲芯片，可将内存子系统的负载降低最多75％，因此三星将这种内存条称为“LRDIMM”(低负载)，可用来取代RDIMM，这也是第一款使用40nm级别工艺的LRDIMM内存条。

  使用32GB LRDIMM，单颗处理器搭配的内存子系统容量可扩大至384GB，用于双路服务器系统就是768GB，而使用之前推出的32GB DDR3 RDIMM内存条只能达到512GB。

  三星电子表示，这种32GB LRDIMM内存条将于今年下半年投入量产。