一站式电子元器件采购平台

华强商城公众号

一站式电子元器件采购平台

元器件移动商城,随时随地采购

华强商城M站

元器件移动商城,随时随地采购

半导体行业观察第一站!

芯八哥公众号

半导体行业观察第一站!

专注电子产业链,坚持深度原创

华强微电子公众号

专注电子产业链,
坚持深度原创

电子元器件原材料采购信息平台

华强电子网公众号

电子元器件原材料采购
信息平台

Infineon推出600 V和1200V IGBT产品系列

来源:http://news.hqew.com/info-167616.html 发布时间:2010-05-21

摘要: 英飞凌推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT产品系列。该系列经过优化,适用于高频和硬开关应用,在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面,树立了行业新标杆,并可满足开关频率高达100 kHz的应用需求。近年来,各种产品对分立式IGBT的需求促使设计者寻求具备优化特性的IGBT,比如开关和通...

英飞凌推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT产品系列。该系列经过优化,适用于高频和硬开关应用,在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面,树立了行业新标杆,并可满足开关频率高达100 kHz的应用需求。

近年来,各种产品对分立式IGBT的需求促使设计者寻求具备优化特性的IGBT,比如开关和通态损耗优化,以期充分发挥产品的性能。英飞凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可适用于电焊机、太阳能逆变器、开关电源和不间断电源(SMPS 和UPS)等高频应用,帮助最大限度发挥系统的性能。

全新的高速3 IGBT系列经过优化,适用于开关频率高达100 kHz的产品。它相对于上一代器件,总关断损耗降低35%。关断损耗的大幅降低主要源自于极短的拖尾电流时间。拖尾电流时间缩短75%,并表现出类似MOSFET的关断开关行为。

由于Vce(sat)(通态饱和电压)对总体损耗也很关键,因此需要在开关损耗和导通损耗之间实现最佳平衡。全新的高速3系列不仅具备极低的开关损耗,而且具备较低的导通损耗,这主要得益于采用本身具备较低通态饱和电压的、成熟的Trenchstop? 技术。

对于高速3系列中具备续流二极管的IGBT而言,其二极管的尺寸经过优化,适用于高速开关,同时可维持较高的软度,使产品具备出色的抗电磁干扰性能。

供货与定价

符合RoHS标准的全新高速3 IGBT系列,其600V器件的电流范围为20A至50A,其1200V器件的电流范围为15A至40A。该系列目前全面投入量产。

样品数量的价格范围为1.90欧元(600V 20A)至5.10欧元(1200 40A)。

声明:本文观点仅代表作者本人,不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题,请联系本站修改或删除。

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

调查问卷

请问您是:

您希望看到什么内容: