巴斯夫创造出一种先进的电镀铜化学品，可满足现今及未来芯片科技的需求。巴斯夫与IBM于2007年6月开始这一联合开发项目，这项创新的化学品解决方案是其直接成果。这种解决方案的表现超越了市场上现有的其它化学品。  

    两家公司正扩展他们的合作计划，以确定量产所需的参数。相关的技术、化学品和材料预计可于2010年中期上市供应。

    巴斯夫全球电子材料业务部研发部门的资深经理兼该项目负责人DieterMayer表示：“我们为这一创新的化学品感到兴奋无比。巴斯夫与IBM团队选择了一种新的方式，通过对于沉积铜物理特性的了解来设计分子添加剂系统。利用巴斯夫与IBM强大的资源，我们已经克服了在电镀铜方面的主要挑战，朝着制造更小、更快、更可靠芯片的目标又迈进了一步。”

    实现无缺陷的电导线沉积是成功沉积铜工艺最关键的条件。在电镀铜沉积工艺中，传统的等向性充填(conformalfill)会在形体的上、下、外围产生同样的铜沉积率，形成接缝及缺陷。通过采用巴斯夫的化学品可以实现快速的充填，一般称为“超填孔(superfill)”，可以将铜快速的充填至细小的通孔及沟槽，制造出无缺陷的铜导线。通过超填充的方式，底部的铜沉积率会比顶部及外围更高。

    铜导线可显著改善芯片效能，这种高传导性金属的沉积是建构多层互连结构的关键性工艺。时下最先进的芯片技术被称为32纳米技术节点，而下一代的22纳米技术预期将于2011年推出。当芯片尺寸越来越小，互连结构日趋复杂，要制造出高性能的芯片就更需要专门的化学知识。同时，纯熟完善的化学工艺解决方案也是必不可少的。

    巴斯夫的电镀铜化学品已经可以应用在32纳米和22纳米的芯片技术中，能明显改善芯片铜导线的可靠性，提升芯片的性能和质量。