Intel、意法半导体联合投资的Numonyx(恒忆)今天发布了基于相变存储技术的Omneo系列新款相变存储芯片，这也是该公司专注于该领域的最新商用产品成果。
  
  相变存储(PCM)是一款新型非易失性存储器，可以像闪存那样在断电后保存数据，同时读写速度和寿命更高，可以随时支持新的应用模块，能够满足消费类电子、计算机及通讯电子系统(3C)融合对存储器的庞大需求。三星电子已经于去年9月底开始量产相变随机存储芯片(PRAM)。
  
  Numonyx此番推出的“OmneoPCM”品牌相变存储芯片主要面向有线与无线通信、消费电子、PC和其他嵌入式领域，综合了各种闪存技术和RAM、EEPROM的优良属性，号称写入速度是当前闪存的最快300倍，写入寿命也是10倍以上。
  
  OmneoP5QPCM兼具串行NOR闪存和EEPROM技术的特点，使用90nm工艺制造，标准串行外设接口(SPI)的SOIC-16封装，单颗容量128Mb(16MB)，单/双IO带宽66MHz，四I/O带宽50MHz，编程时间0.7MB/s(65nmSPINOR闪存的最快三倍)，写入耐久性100万次(NOR闪存的十倍)，支持字节变性(无需擦除操作而提高性能)。
  
  OmneoP8PPCM则是Numonyx发布的第二批90nm128Mb高性能并行接口产品，56-leadTSOP或者64-ballEasyBGA封装，尺寸8×10毫米，兼容现有并行NOR闪存插槽，同样支持支持字节变性，写入周期也有100万次，而2008年12月的第一批产品只有10万次。
  
  NumonyOmneoP5Q/P8PPCM系列相变存储芯片现均已批量供货。