全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出一系列新型HEXFET^?功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻(R_DS(on))的IRFH6200TRPbF。

这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅技术，是该公司首批采用5x6mmPQFN封装、优化铜片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可实现业界领先的R_DS(on)，在4.5V Vgs下，最高仅为1.2m?，显著降低了手工工具等直流电机驱动应用的传导损耗。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借在基准MOSFET技术方面的丰富经验和不断努力，IR推出了结合我们最新一代芯片与PQFN封装技术的MOSFET系列，实现了业界领先的R_DS(on)，继续开创卓越性能的先河。此外，在未来几个月，我们将按照产品路线图推出宽泛组合的PQFN基准MOSFET产品，以满足客户的需求。”

25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是专为DC开关应用设计的，例如需要高电流承载能力和高效率的有源ORing和直流电机驱动应用。IRFH5250TRPbF具有极低的RDS(on)，最高只有1.15m?，且栅极电荷(Qg)仅为52nC。而IRFH5300TRPbF的最高RDS(on)只有1.4m?，Qg达到了50nC。

如果采用IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF器件，不仅能够实现卓越的热性能，还可以根据给定的功率损耗要求，比现有解决方案使用更少的元件，节省电路板空间及成本。

所有这些新器件均具有低热阻(<0.5°C/W)，并达到一级湿敏(MSL1)工业合格水平，也不含铅、溴化物和卤素，且符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)。  

IRFH6200TRPbF产品规格

IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF产品规格

有关产品现正接受批量订单。这些新器件的数据表和应用说明已刊登于IR的网站www.irf。com。