摘要: 变相内存(Phase Change Memory, PCM)创始者恒忆(Numonyx)宣布推出Numonyx Omneo PCM系列产品,其集闪存、随机存取内存(RAM)和电子抹除式可复写只读存储器(EEPROM)三大内存优点于一身,可望达到现有闪存300倍的写入速度,与十倍的耐写次数。能适用于...
变相内存(Phase Change Memory, PCM)创始者恒忆(Numonyx)宣布推出Numonyx Omneo PCM系列产品,其集闪存、随机存取内存(RAM)和电子抹除式可复写只读存储器(EEPROM)三大内存优点于一身,可望达到现有闪存300倍的写入速度,与十倍的耐写次数。能适用于有线及无线通讯、消费电子、个人计算机和其它嵌入式应用。目前该产品已开始量产供货。
新PCM产品系列包括支持串行周边接口(SPI)的内存-Omneo P5Q PCM和支持并列式NOR接口的内存-Omneo P8P PCM。两种产品都同时与工业标准的串行式接口和并列式接口兼容。
恒忆副总裁暨嵌入式业务部总经理Glen Hawk表示,目前设计工程师必须使用不同类型的内存以进行编码储存、执行以及数据储存应用,但Omneo PCM将提供设计人员更简单的单一内存解决方案。
Omneo P5Q PCM是一款兼容于高速SPI接口的90奈米PCM,集串行编码式闪存(NOR Flash)和EEPROM两大内存的技术优点于一身,支持字节修改功能,而无需擦除大区块数据,进而使数据处理和简化软件变得更容易。其中采取覆写(Over-write),意即无擦除(No-erase)功能,可让工程师和设计人员简化软件设计、提升系统效能,将内存编码时间缩短至闪存的三百分之一。新产品Omneo P5Q的耐写次数可达100万次,可写入资料量是闪存的十倍。
Numonyx Omneo P8P PCM是恒忆推出的第二款90奈米128Mb并列式PCM。第一款产品于2008年12月推出,支持十万次的耐写次数,第二款产品则提高到100万次。目前两款产品均已量产。
恒忆企业营销资深总监Raymond Solone表示,PCM是非比寻常的内存技术,其特殊功能能够解决不同市场领域的独特难题,恒忆采差异化的品牌策略以强调其特殊性。基于PCM技术带给客户的新功能和优势,恒忆也积极寻求进一步透过品牌策略直接连结不同的PCM应用市场领域。
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