Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺，率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。

PowerDI5的占板空间仅有26 mm2，比SOT223小47%，比DPAK小60%；板外高度仅为1.1mm，远薄于1.65mm高的SOT223和2.3mm高的DPAK 封装。

PowerDI5最小的铜板电功率额定值 (minimum copper power rating) 为0.74W，可在小面积上体现极佳的热性能，大幅度提高了功率密度。它在25 x 25毫米的铜和FR4物料上的额定热电阻为75oC/W，额定功率为1.7W，足以在一些较依赖封装热性能的应用中取代SOT223 封装。

首批采用新型PowerDI5封装的NPN及PNP晶体管产品适用于数据通信、电信、电机驱动及电池充电器应用。

新器件中的DXT2013P5、DXT2014P5及DXTP03200BP5的额定电压分别为100V、140V和200V。这些器件的饱和电压低，具有快速开关的特性，有助于改善用户接线口电路直流-直流转换器 (SLIC DC-DC converter) 的效率。在线性电池充电器中，具有低饱和电压的20V DXTP19020DP5能够帮助充电器即使在较低的输入电压下，也能确保电池完全充满。

额定电压为100V的DXTN07100BP5，凭借小巧的封装尺寸和低热阻，完全满足 48V稳压器应用的需要；DXT5551P5则可在需要较高电压的条件下，用作电信线路驱动器，以满足较长通信线路的需求。