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业界最小的60V功率MOSFET问世 节约更多空间

来源:http://news.hqew.com/info-161734.html 发布时间:2010-01-06

摘要: 日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET:SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封装能节约更多的空间。SiM400是迄今为止最小的60V功率MOSFET,其SOT-923封装...

日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET:SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封装能节约更多的空间。

SiM400是迄今为止最小的60V功率MOSFET,其SOT-923封装的尺寸为1×0.6mm,最大厚度仅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%,厚度则薄了26%。

在VGS为10V、4.5V和3.5V的情况下,新器件的导通电阻分别为3.9Ω、4.8Ω和8Ω。在与电源管理单元(PMU)等复杂控制器的连接中,手持式器件往往使用小信号开关。3.5V额定电压对一个60V器件来说是相当低的栅源电压,但即便如此,SiM400在3.5V时仍具有低导通电阻。

SiM400可广泛用于仅能提供很小电路板空间的各种小信号开关应用,这些应用包括数码相机和视频摄像机中的微型马达、电子发光背光和升压DC/DC转换器,器件的小尺寸有助于节省空间,或是实现更好的功能。

该款环境友好的新器件无铅、无卤素,符合RoHS指令,还具有高达1,500V的ESD保护。SiM400现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十周至十二周。

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