由英特尔、美光共同设立的NAND合资企业IM Flash Technologies，以34奈米NAND制程，开发了3-bit-per-cell新技术，生产出目前市场上尺寸最小、性价比最高的32Gb晶片。该晶片因具有高密度和高性价比的特性，因此适用于快闪记忆卡和USB驱动器等消费储存设备。
    
      英特尔及美光不断致力于新的制程微缩(process shrink)研发，此次推出的3bpc NAND技术，将会成为其未来有效区隔市场的关键。32Gb 3bpc NAND晶片面积为126mm2，预计将在2009年第四季投入量产。
    
      美光记忆体事业部副总裁Brian Shirley表示，3bpc NAND技术是产品规划蓝图上很重要的部分，美光和英特尔在34奈米NAND技术上已取得重大进展，并期盼能在今年下半年推出2xnm技术。
    
      英特尔副总裁、NAND解决方案事业部总经理Randy Wilhelm表示，3bpc技术代表英特尔和美光在34奈米NAND开发过程中，取得突破的又一项证明，并且为其2xnm矽加工制程，奠定了领先地位的基础。2xnm制程将有助于拓展NAND解决方案的功能，并能协助客户达到节省成本的目标。