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IR推出150V和200V MOSFET为工业应用提供极低的闸电荷

来源:http://news.hqew.com/info-157877.html 发布时间:2009-08-18

摘要: 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,为开关模式电源 (SMPS) 、不断电系统 (UPS)、反相器和D...

     全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,为开关模式电源 (SMPS) 、不断电系统 (UPS)、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 (Qg)。
    


     与其它竞争器件相比,IR 150V MOSFET提供的总闸电荷降低了高达59%。至于新款200V MOSFET的闸电荷,则比竞争器件的降低了多达33%。
    
     IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“随着DC-DC功率转换应用技术的日益进步,开关频率也有所提高,输入电容和闸电荷在整体效率方面担当起重要的角色。开关损耗的多少对快速开关电路来说是关键的问题。IR新推出的150V和200V MOSFET正好针对这个挑战做出了优化,所以非常适合作为通信应用中隔离式DC-DC转换器的主要开关,或者在任何先进的DC-DC应用中推动轻负载效率。”
    
     这些新款MOSFET达到工业级别及第一级湿度感应度 (MSL1) 。它们采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封装,皆为无铅设计,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 指令。
    
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