德国研究机构ForschungszentrumRossendorf的科学家表示，已经成功制造出超导锗晶体(superconductinggermaniumcrystals)，并因此向催生速度更快的半导体元件迈进一步。
    
     这个由ThomasHerrmannsdorfer所领军的研究团队是将锗晶体与高浓度的杂质原子(impurityatoms)掺杂在一起；该杂质原子是每100个锗原子加入6个镓(gallium)原子。由于这种高浓度杂质原子会导致晶体结构的强烈变形，接下来必须用强烈的闪光来修复晶格；而研究人员表示，那些修复后的晶体会出现像是非常高关键度磁场(veryhighcriticalmagneticfield)那样的超导电性。
    
     虽然该种超导电效应只能在0.5K的超低温度下才能检验到，却是锗元素第一次被赋予超导电性。在两年前，有一个法国的研究团队曾用硅成功做过类似的实验，但为了寻找制造速度更快晶片的方法，锗最近吸引不少科学家的注意。
    
     不过研究人员坦承，这种超导体锗距离实际应用还有很长一段距离；“但我们有可能提高该种超导体的温度。”研究团队成员VitonHeera表示。因为如此，也许有可能制造出切换时间超短的氦冷却锗闸极(helium-cooledgermaniumgates)。
    
     至于这种超导体在半导体制造上的实际应用，恐怕近期之内无法实现。“这是基础性的研究，”Heera表示：“我们距离真正的应用还很远。”