日立制作所与大阪大学的研究小组共同开发出了能在200～250℃下接合半导体元件和底板，接合后能耐500℃以上高温的无铅接合技术。
    
      随着电流密度的提高，汽车及产业设备用电子部件要在高温环境下具有高可靠性。另外，SiC等元件所使用的接合材料也要具有高耐热性。但目前面向高温环境的接合材料使用含Pb量多的材料，近年来，期待出现支持无铅RoHS指令，不含有害物质铅的材料。
    
      作为满足上述要求的接合技术，无铅Ag纳米粒子接合法的研究不断取得进展。Ag纳米粒子接合法不仅能在低于Ag融点的温度下接合，接合后还具有基于Ag性质的高散热性和高耐热性。但是，Ag纳米粒子不仅材料的价格高，而且为除去接合时为使Ag纳米粒子保持稳定而采用的保护膜，须将之加热到300℃左右。因此所能降低的接合温度有限。
    
      因此，日立制作所通过以更低温度加热还原μm级尺寸的AgO（AgO微粒），尝试低温下的接合。为了使其在低温下还原，新开发了还原催化剂。结果，200～250℃的加热还原生成了Ag纳米粒子，实现了接合。该接合方法不仅无需加热到300℃之后去除保护膜，还保持了Ag纳米粒子接合法的优点——高散热和高耐热性。此外，由于接合材料易于制造和保管，还能够大幅削减接合成本。
    
      能够与氧化物层直接接合
    
      并且此次还证实：Al及Ti等表面形成有氧化物的材料也无需去除氧化膜，利用还原催化剂便可直接接合。电子部件所采用的Al及Ti电极在表面形成了牢固且稳定的氧化物层。因此，以Pb及Sn为主要原料的接合材料必须在去除氧化物之后接合。而此次采用AgO微粒，利用开发的还原催化剂使其产生发热反应，结果发现不去除氧化膜也能够直接接合。Al及Ti外，该技术还能够应用于Si及SiC等半导体元件、不锈钢以及玻璃材料。