2009 年 5 月 20 日 － 北京 － 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出纤巧 2mm x 3mm DFN-12 封装、宽输入电压范围同步降压型开关 DC/DC 控制器 LTC3854，该器件能驱动所有 N 沟道功率 MOSFET 级。4V 至 38V 的输入范围满足多种应用需求，包括大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上 MOSFET 栅极驱动器使大功率外部 MOSFET 能够用范围为 0.8V 至 5.5V 的输出电压产生高达 20A 的输出电流。这使 LTC3854 非常适用于数据通信、电信、工业、汽车、医疗和多功能打印机应用中的负载点调节需求。
    
     恒定频率电流模式架构提供固定的 400kHz 工作频率。LTC3854 具有一个片上 5V 稳压器，从而无需独立的偏置电压为该芯片供电。OPTI-LOOP® 补偿允许瞬态响应在宽输出电容和 ESR 值范围内得到优化，包括全陶瓷电容器设计。输出电流检测测量输出电感器 (DCR) 或一个可选检测电阻两端的压降。在短路和过载情况下，电流折返限制了 MOSFET 热耗散。此外，LTC3854 具有可调软启动，以控制接通时间并控制浪涌电流。可选连续或断续电感器电流模式可用来安全地为预偏置负载供电。防贯通保护防止功率 MOSFET 中的贯通电流。
    
     LTC3854 以高达 96% 的占空比工作，具有非常低的压差电压，以延长电池供电应用的运行时间。LTC3854 具有一个精确的 0.8V 基准，在 -40ºC 至 85ºC 的工作温度范围内具有 ±1% 的准确度。
    
     LTC3854 有现货供应，以 1,000 片为单位批量购买，起价为 1.65 美元。
    

     照片说明：同步降压型 DC/DC 控制器
    
     性能概要：LTC3854
    
     •VIN 范围：4V 至 38V
    
     •VOUT 范围：0.8V 至 5.5V
    
     •强大的片上 N 沟道 MOSFET 驱动器
    
     •内置 5V 稳压器
    
     •小型 2mm x 3mm DFN-12 封装
    
     •防贯通保护
    
     •电流模式控制
    
     •安全地为预偏置负载供电
    
     •DCR 或 RSENSE 电流检测选项
    
     •输出折返电流限制
    
     •可编程软启动
    
     •40kHz 固定工作频率
    
     •96% 最大占空比
    
     •在 -40ºC 至 +85ºC 的温度范围内具有 ±1% 的基准电压准确度