摘要: IBM与法国原子能署下属的电子资讯科技实验室(CEA/LETI)近日宣布将合作研究开发半导体与纳米电子相关技术。双方将就22nm制程工艺有关的高级材料,设备及制造工艺方面进行合作,合约期为5年。...
IBM与法国原子能署下属的电子资讯科技实验室(CEA/LETI)近日宣布将合作研究开发半导体与纳米电子相关技术。双方将就22nm制程工艺有关的高级材料,设备及制造工艺方面进行合作,合约期为5年。
研究工作将在IBM公司在东Fishkill的300mm工厂,Nanotech/意法半导体公司在法国Crolles的工厂以及CEA/LETI位于Grenoble的300mm设施中展开。而来自CEA/LETI的一支研究团队则将在Albany Nanotech公司开展这项研究工作。CEA/LETI将不会加入IBM的“制造厂俱乐部”(fab club)联盟,而只会加入IBM的“联合开发共同体”联盟进行技术合作。
本次合作将主要涉及三个领域:22nm制程用高级光刻技术;22nm制程CMOS技术以及低功耗技术;以及纳米级成型工艺(nanoscale characterization)技术。
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