全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。
    
     新 MOSFET 系列采用了 IR 经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻 (RDS(on)) ，并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率。
    
     IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“这些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封装，可比 SO-8封装提供更高的功率密度，同时保持相同的引脚排列配置。新型双 SO-8 MOSFET 还可通过‘二合一\’交换来减少元件数目，满足不同应用的要求。”
    
     单双 N通道 MOSFET 现已开始供应。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封装之外，单个 N通道器件也可在高量产时实现优化，采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封装，而双 N通道器件则采用 SO-8 封装。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) ，可以不含卤素。
    
     产品的基本规格如下：
    
    单个 N通道