富士通(Fujitsu)微电子(上海)有限公司近日宣布，富士通实验室和富士通株式会社联合开发出一款具有高击穿电压并基于逻辑制程的CMOS高压晶体管，该晶体管适用于无线设备的功率放大器。作为先进科技的先驱，富士通开发完成了世界上第一代基于45纳米工艺的CMOS晶体管，能够处理10V功率输出，这使得晶体管能够处理用于WiMAX和其它高频应用的功率放大器的高输出要求。这一新技术能够将功能放大器和CMOS逻辑控制电路在同一块芯片上集成，可实现单芯片的工作模式，从而使生产出高性能和低功耗的功能放大器成为可行。
    
    通常提高CMOS晶体管击穿电压的方法是增加门极和漏极之间的宽度。与以往的方法相比，这一新结构不增加宽度也能有效抑制导通电阻。此外，由于该结构只需形成LDD区和定制沟道区两个额外步骤，因此能够实现高度兼容3.3V I/O的标准晶体管。
    
    
    富士通新型开发的高压晶体管为带高击穿电压的CMOS逻辑晶体管在功率放大器中的使用铺平了道路。富士通将利用该技术的进一步发展，持续在单一芯片上集成功率放大器和控制电路方面做出努力，以实现成本更低和性能更高的功率放大器模块。