瑞萨(Renesas)科技公司近日宣布推出采用6mm×6mm小封装的集成型驱动器MOSFET。R2J20651NP设计用于电脑或服务器中的CPU和DDR类SDRAM电源，可实现高达96.5%的最高电源效率。自2008年12月24日起，瑞萨将推出R2J20651NP的样品。
    
     R2J20651NP符合“Integrated Driver-MOSFET(DrMOS)” 规格(英特尔公司的3.0版本)，严格采用6mm×6mm的封装尺寸。R2J20651NP在一个单独的封装中集成了两个高端/低端MOSFET以及驱动器IC，具有下列特性：
    
    
     R2J20651NP的特性总结如下。
    
    
     (1)工业领域最高的电源供应效率：96.5%
    
    
     本产品通过采用瑞萨最新的第十代功率MOSFET达到了最高电源效率，第十代功率MOSFET在效率和低功耗方面取得了长足进步。举例来说，在用于台式计算计中DDR类SRAM的直流-直流转换器中，当将5V的输入电压转换成1.8V时，R2J20651NP取得了96.5%的业界最高的电源效率，并有助节省电源。另外，由于减少了热生成的这一代产品允许使用更小的散热器，而且电容器和其它无源元件的数量也得到缩减，因而就节省了终端产品的设计空间。
    
    
     (2)小封装的占位安装面积约为以往瑞萨产品的一半
    
    
     瑞萨科技通过采用高散热/低损耗封装技术和瑞萨公司的第十代MOSFET器件，实现了6mm×6mm的小型40引脚QFN封装。与以往瑞萨公司8mm×8mm的封装相比，R2J20651NP减少了一半的占位面积。此外，由于它可以处理高达35A的电流，因此能够很轻松的有用高密度直流-直流转换器。
    
     (3)5V输入电平允许用于5V的单电源电压母板
    
    
     驱动器IC电压从以往瑞萨产品的5V电压改变到12V，因此R2J20651NP还可以用于5V的单电源电压母板。这即有利于节能，还有利于使电脑达到最小化。
    
    
     (4)内置的过温检测功能
    
    
     作为DrMOS 标准产品，R2J20651NP首次在驱动器IC中具有温度检测功能，当驱动器IC的温度起过130℃时，能够输出过温信号。可以根据应用来使用这个信号，例如， 可以利用系统电源控制IC接收信号并关断系统。
    
    
     此外，由于可以通过使电源器件监视其自身温度和热生成来提前检测其异常模式和过载状态，因此还可以实现安全电源系统。
    
    
     (5)低端MOSFET禁用功能
    
    
     R2J20651NP支持不连续的工作模式，其中低端MOSFET可以利用与驱动器IC相连接的LSDBL#引脚可由内部逻辑强制关闭。当启动时，在预偏置操作过程中，当已经有电压停留在输出端时，或者在轻负载操作中提高效率时，这种功能在防止快速放电或负载端电压尖峰方面非常有效。
    
    
     典型应用
    
    
    ·用于服务器和电脑的CPU稳压器和DDR类SDRAM直流-直流转换器
    
    
    ·用于FPGA和高性能数字处理器的直流-直流转换器
    
    
    ·用于数字电器、游戏机和其它消费类产品的直流-直流转换器