Vishay 扩展了其Gen III TrenchFET电源MOSFET产品线，发布了两款20-V和两款30-V n-通道器件，可用于同步降压转换器高压MOSFET，有助于节约笔记本电脑、电压稳压器模块、服务器以及其他使用POL电源转换系统节约功耗。
    
     这些MOSFETs是首次采用Vishay的TurboFET技术的器件，采用新的漏电荷平衡架构，从而降低45%的栅电荷，因此，实现更低开关损耗和更快的切换。
    
     相比于最接近的竞争器件，这些器件4.5V时栅电荷降低45%，10V降低36%，FOM低50%。较低的栅电荷意味着在任何频率下更高效的转换，尤其是给设计人员一个以较高频率运行的选择，能够在DC-DC转换器中采用较小的无源器件。
    
     Vishay的30-V TurboFET器件包括新款Si7718DN，以及Si7784DP采用PowerPAK SO-8封装。PowerPAK SO-8版本的20-V SiS426DN器件，SiR496DP也可以用于高电流应用中。日前发布的所有器件都是无卤，并100%经过Rg和UIS测试。
    
     目前可以供货，订货量大时供货期为10——12周，100000片起订起价为$0.32。