Cypress推出 2 Mbit 和 8 Mbit 非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），进一步丰富了公司旗下从 16 Kbit 到 8 Mbit 的nvSRAM 产品系列。该新型产品的存取时间短至 20 纳秒，支持无限次的读写与调用循环，而且数据能保存 20 年之久。nvSRAM 为需要持续高速写入数据和绝对非易失性数据安全的应用提供了最佳解决方案，因此成为了服务器、RAID 应用、恶劣环境下的工业控制、汽车、医疗以及数据通信等领域的理想选择。
    
     CY14B102 2 Mbit nvSRAM 与 CY14B108 8 Mbit nvSRAM 均符合 ROHS 指令，可直接取代SRAM、电池供电的 SRAM、EPROM 及 EEPROM 器件，毋需安装电池就能确保可靠的非易失性数据存储。断电时，数据可自动从 SRAM 传输到 nvSRAM 器件的非易失性存储单元。通电时，数据则能从非易失性存储器恢复到 SRAM 中。上述两种操作都能通过软件控制实现。新型 nvSRAM采用赛普拉斯的 S8 0.13 微米硅氧化氮氧化硅 (SONOS) 嵌入式非易失性存储器工艺制造而成，具有更高的密度、更短的存取时间以及高出色的性能。
    
     2 Mbit 和 8 Mbit 的nvSRAM 支持实时时钟特性，既能实现业界最低的待机振荡器电流，又能确保集成存储器的最高性能，从而在非易失性存储器的支持下可实现事件时间戳功能。
    
     nvSRAM 是业界最佳的高速非易失性存储器解决方案，相对于电池供电的 SRAM 而言，其板级空间更少、设计复杂性更低，而且比磁性随机存储器 (MRAM) 或铁电存储器 (FRAM) 更加经济可靠。2 Mbit 和 8 Mbit 的nvSRAM是赛普拉斯nvSRAM 产品系列中的最新成员，该系列旗下目前已实现量产的其它产品还包括16 Kbit、64 Kbit、256 Kbit、1 Mbit和4 Mbit的器件。
    
     作为 SONOS 工艺技术的领先公司，赛普拉斯将在新一代 PSoC? 混合信号阵列、OvationONS 激光导航传感器、可编程时钟及其它产品中采用 S8 技术。SONOS 与标准 CMOS工艺高度兼容且具有高耐用性、低功耗和抗辐射加固等众多优势。此外，SONOS 相对于其它嵌入式非易失性存储器技术而言，也是一款更稳健、更易于制造、更低成本的解决方案。
    
    供货情况与产品照片
    
     赛普拉斯的 2 Mbit和 8 Mbit的 nvSRAM 目前已提供样品，预计将于 2008 年第三季度开始投产。上述产品可采用 48 引脚 FBGA 封装以及 44 引脚和 54 引脚的 TSOPII 封装。此类非易失性 SRAM 是根据赛普拉斯公司此前与西姆泰克公司（Simtek Corporation）签订的协作产品开发协议而共同开发的器件系列中的第二批产品。
    
    详情见：www。cypress。com/go/pr/photos/2M8MnvSRAMs。
    
    关于赛普拉斯的 nvSRAM 产品
    
     赛普拉斯的nvSRAM使用存储于外部电容器（而非电池）内的电量，使产品更适用于标准印刷电路板（PCB）组装流程。该系列产品可采用如下不同配置：8 Mbit/3V、4 Mbit/3V、2 Mbit/3V、1 Mbit/3V、256 Kbit/3V、256 Kbit/5V、64 Kbit/5V 以及 16 Kbit/5V 等。这些产品具有高度的可扩展性，其中1 Mbit 和 256 Kbit 的产品采用32 引脚SOIC和48引脚SSOP小型封装。8 Mbit、4 Mbit 和 2 Mbit的产品采用 48 引脚 FBGA 封装、44引脚TSOPII 封装和 54 引脚 TSOPII 封装。nvSRAM产品系列支持引脚兼容的升级，以满足更高的密度及实时时钟要求。
    
     在RAID应用中，即使在电量耗尽时， nvSRAM 也能在确保数据完整性的情况下进行高速数据传输。用于复印机中的 nvSRAM 产品能够实现数据的高速存取而不需要电池。得益于nvSRAM 提供的数据缓冲功能，手持仪表能够实现服务器加载数据的高速读取。