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Microsemi新推出超薄紧凑型功率模块

来源:http://news.hqew.com/info-151649.html 发布时间:2008-08-07

摘要: Microsemi超薄紧凑型功率模块面向UPS、电源、太阳能逆变器等应用 Microsemi公司宣布推出一个包括有38个标准功率模块的新产品系列,该...

    Microsemi超薄紧凑型功率模块面向UPS、电源、太阳能逆变器等应用
    
     Microsemi公司宣布推出一个包括有38个标准功率模块的新产品系列,该系列产品采用非常扁平的超薄型紧凑SP1封装。主要应用于功率因数校正、电动机控制、UPS、电源、太阳能逆变器以及电焊机变换器等。
    
     由于新产品系列的外廓只有12mm高,所以寄生电感极小;可焊接引脚容易安装到顶部印制的电路板上。该系列模块集成了一个基板,因而可以使用更薄的DBC 衬底。这使得模块与散热器之间能完全电隔离的同时,又具有极好的散热能力,很低的热阻。
    
      这个超薄紧凑型新系列模块,相当于两个SOT227封装组合在单个SP1封装中,填补了SOT227和SP3封装产品尺寸之间的空白。SP3模块相当于四个SOT227封装的组合。
    
      在Merignac, France的功率模块产品开发部总监Serge Bontemps说:“SP1封装具有的超薄扁平外廓和内部布局使得模块的寄生电感极小,因此终端用户能够获得超快半导体器件的卓越性能。我们SP1新产品系列的38个功率模块在涉及器件所占空间、电和热性能、重量以及价格的方方面面提供了多种极好的选择。”
    
      Microsemi的这个新模块系列产品包括有相臂(Phase Leg)、全桥(Full Bridge)、降压(Buck)和升压(Boost)电路组合。全桥模块的发射极/源极位于底部,为使用电流传感器提供了分开的单独连接。所有的新模块都集成了一个热传感器,能对外壳的温度进行监测,并提供过热保护。
    
      四种电路组合模块提供多种类型晶体管的选择:如相臂和全桥模块采用FREDFET为开关器件;降压和升压模块采用标准MOSFET,另外也可采用CoolMos, NPT和TRENCH IGBT等作为开关器件。
    
      所有的 SP1封装的 MOSFET 和 FREDFET标准模块都采用Microsemi 功率产品部开发的最新MOS8TM 功率 MOSFET。MOSFET、FREDFET 和 CoolMos? 模块的电压范围为500V ~1200V,电流额定值范围为11A~70A@Tc=80℃。NPT和TRENCH IGBT模块的电压范围为600V~1700V,电流额定值范围为20A ~150A@Tc= 80℃。
    
      虽然SP1系列产品是为工业应用所设计的标准模块,但是很容易升级它们,能承受更加苛刻的环境要求:
      - 可用氮化铝衬底替代标准氧化铝衬底来提高热性能
      - 可用碳化硅(SiC)二极管替代快恢复外延二极管(FRED),来降低开关损耗或提高开关频率
      - 可用碳化硅铝(AlSiC)基板替代标准的铜基板来减轻重量,延长在宽范围温度循环下的使用寿命
    
      样品可立即获得,订货量为10K块的订货至交货的时间为8至12周。当购买数量为1000 至2500块时,价格在$13.60~$48.17之间。
    
      有关全新的SP1功率模块系列的完整文件、数据手册可在 Microsemi公司的网站www。microsemi。com获得。

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