Ramtron International Corporation宣布推出全新并行和串行F-RAM系列中的首款并行产品，提供更高速的读/写性能、更低的工作电压和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品中的最新器件FM28V100，是1兆位(Mb)、2.0至3.6V的并行非易失性RAM，采用32脚TSOP-I封装，具备快速访问、无延迟(NoDelay)写入、几乎无限的读写次数和低功耗特性。FM28V100是工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其它应用领域中，由1Mb电池支持SRAM存储器升级的理想产品。
    
     FM28V100是128K×8非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，读写操作与标准SRAM相似，并可在掉电后保存数据。FM28V100提供超过10年的数据保存，能够消除来自电池支持SRAM (BBSRAM) 的可靠性、功能缺点及设计复杂性问题。从系统中去除电池，可让系统在更宽泛的工作温度范围运作，而且有利于环保。F-RAM具有快速写入和几乎无限的写入耐用性，比其它类型的存储器更加优胜。
    
    
     FM28V100的系统内运作与其它RAM器件相似，可用作标准SRAM的普适型(drop-in)替代产品。通过转换芯片引脚或简单地改变地址，即可触发读/写循环。F-RAM存储器采用独特的铁电存储工艺，因而具有非易失性，适用于需要频繁或快速写操作的非易失性存储器应用。FM28V100可在-40℃至+85℃的整个工业温度范围工作。
    
    
     供货
    
    
     Ramtron现提供符合RoHS标准的32脚TSOP-I封装FM28V100